TRANSISTORES archivos - Tecnoconciencia

Transistor 2n5551

weetczzy lara — Sat, 15 Apr 2023 14:55:29 +0000

El 2N5551 es un amplificador NPN de propósito general para montaje por orificio pasante en un encapsulado TO-92. Este dispositivo está diseñado para amplificadores de alta tensión de propósito general y controladores de pantalla de descarga de gas.
Tensión de ruptura de colector a emisor de 160V
Tensión de saturación de colector a emisor de 200mV a una corriente de colector de 50mA
Disipación de potencia de 625mW
Corriente de colector DC de 600mA
Ganancia de corriente DC de 30 a Ic=50mA
Rango de temperatura de unión en funcionamiento de -55°C a 150°CEl 2N5551 es un amplificador NPN de propósito general para montaje por orificio pasante en un encapsulado TO-92. Este dispositivo está diseñado para amplificadores de alta tensión de propósito general y controladores de pantalla de descarga de gas

La entrada Transistor 2n5551 se publicó primero en Tecnoconciencia.

IRF840 MOSFET N-CHANEL 500V 8.0A TO-220 IRF840PBF

weetczzy lara — Thu, 22 Nov 2018 16:46:04 +0000

Transistor MOSFET CANAL N
Código: IRF840

ORIGINAL 100%

Voltaje: 500 Volts;
Corriente: 8.0 Amper, RDSon = < 0.85 Ohm;
Cápsula : TO-220

La entrada IRF840 MOSFET N-CHANEL 500V 8.0A TO-220 IRF840PBF se publicó primero en Tecnoconciencia.

IRFZ44 MOSFET 55V 49A IRFZ44N IRFZ44NPBF TO-220

weetczzy lara — Thu, 22 Nov 2018 16:36:10 +0000

El Mosfet IRFZ44N es un transistor de tecnología MOS-FET (Metal–Oxide–Semiconductor – Field Effect Transistor) y de alta potencia que posee destacadas características que lo hacen ideal para aplicaciones de conmutación y en la modulación por ancho de pulso (PWM). Cuenta con una muy baja resistencia por unidad de superficie y con un rendimiento de conmutación rápida, este beneficio, en combinación con la velocidad de conmutación rápida y el diseño del dispositivo robusto. Los Mosfet de potencia son bien conocidos por ofrecer al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.

Polaridad del transistor: Canal N
Voltaje drenaje-fuente Vds: 55 V
Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
Tensión umbral Vgs: 2.1 V
Intensidad drenador continua Id: 49 A
Disipación de potencia Pd: 83 W
Resistencia de activación Rds(on): 0.0175 Ohms
Temperatura de operación máxima: 150 °C
Encapsulado: TO-220
Número de pines: 3

La entrada IRFZ44 MOSFET 55V 49A IRFZ44N IRFZ44NPBF TO-220 se publicó primero en Tecnoconciencia.

IRF640 TRANSISTOR MOSFET 200V 18A 150MOHM 44.7NC TO-220 IRF640N IRF640NPBF

weetczzy lara — Thu, 22 Nov 2018 16:26:09 +0000

* MOSFET, N, 200V, 18A, TO-220

* Polaridad del transistor:N

* Max Voltage Vds:200V

* resistencia activada:0.18ohm

* Potencia de disipación:125W

* Transistor Case Style:TO-220AB

* SVHC:No SVHC

* Tipo de caja:TO-220AB

* Cont Current Id:18A

* Junction to Case Thermal Resistance A:1?C/W

* Power Dissipation Pd:125W

* Pulse Current Idm:72A

* Tipo de terminación:Agujero pasante

* Tipo de transistor:MOSFET

* Typ Voltage Vds:200V

* Typ Voltage Vgs th:4V

* Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

La entrada IRF640 TRANSISTOR MOSFET 200V 18A 150MOHM 44.7NC TO-220 IRF640N IRF640NPBF se publicó primero en Tecnoconciencia.

2N2222A TRANSISTOR NPN 0.6A 30V

weetczzy lara — Fri, 15 Jun 2018 16:07:44 +0000

Material: Semiconductors
Color: Black
Part number: 2N2222A
Package type: TO-92
Transistor type: NPN
Collector-emitter voltage: 30V
Continuous collector current: 0.6A
Pin length: Aprox. 0.59inch/1.5cm
Weight (kg): 0.023

La entrada 2N2222A TRANSISTOR NPN 0.6A 30V se publicó primero en Tecnoconciencia.

FJP13007 TRANSISTOR

weetczzy lara — Fri, 15 Jun 2018 16:04:06 +0000

FJP13007 TRANSISTOR

La entrada FJP13007 TRANSISTOR se publicó primero en Tecnoconciencia.

IRF3205 TRANSISTOR MOSFET TO-220

weetczzy lara — Fri, 15 Jun 2018 15:49:53 +0000

IRF3205
N Channel PowerMOSFET
55V, 110A
TO-220

La entrada IRF3205 TRANSISTOR MOSFET TO-220 se publicó primero en Tecnoconciencia.

IRF740 TRANSISTOR MOSFET TO-220

weetczzy lara — Thu, 14 Jun 2018 19:31:45 +0000

Package: TO-220
Drain-to-Source Breakdown Voltage: 400 V
Gate-to-Source Breakdown Voltage: +/- 20 V
Continuous Drain Current: 10 A (with adequate heat sinking, consider our TO-220 Heat Sink Set)
Minimum Operating Temperature: -55°C
Maximum Operating Temperature: 150°C
Pin Spacing Pitch: 2.54mm (0.1in)
Hole Diameter: 3.8mm (0.15in)
Weight: 2g (0.07oz)

La entrada IRF740 TRANSISTOR MOSFET TO-220 se publicó primero en Tecnoconciencia.

BC547 TRANSISTOR NPN TO-92

luispujolbello — Tue, 18 Jul 2017 21:27:35 +0000

Transistor Type: NPN
Collector ? base voltage: 45V
Collector voltage of the transmitter: 50V
Base voltage of the transmitter: 6V

Epitaxial silicon NPN transistor. It is designed to be used as a general-purpose amplifier switches requiring collector current of the transistor 500 mA. Transistor is about 0.7 inches in length and 0.1cm in width.
Collector Current: 0.5A
Power loss: 625mW
Storage temperature: -55¡æ~150 ¡æ
Package: TO-92
Total size: about 0.7 x0.1 inch
Pin Size: about 0.5 x 0.1 inch

La entrada BC547 TRANSISTOR NPN TO-92 se publicó primero en Tecnoconciencia.

2N3906 TRANSISTOR DE PROPOSITO GENERAL PNP

luispujolbello — Tue, 18 Jul 2017 21:25:01 +0000

Product Name : PNP Transistor;Model : 2N3906;Quantity : 100 +/- 2% Pcs
Collector Base Voltage : 40V;Collector Emitter Voltage : 40V;Emitter Base Voltage : 5V
Collector Current(Continuous) : 200mA;Collector Power Dissipation : 625mW;Terminal Size : 14 x 0.5mm/ 0.551″ x 0.019″ ( L* D)
Body Dimension : 4 x 3 x 4mm/ 0.16″ x 0.12″ x 0.16″ (L*W*T);Pitch : 1.5mm/0.059″;Main Color : Black

La entrada 2N3906 TRANSISTOR DE PROPOSITO GENERAL PNP se publicó primero en Tecnoconciencia.