El Mosfet IRFZ44N es un transistor de tecnología MOS-FET (Metal–Oxide–Semiconductor – Field Effect Transistor) y de alta potencia que posee destacadas características que lo hacen ideal para aplicaciones de conmutación y en la modulación por ancho de pulso (PWM). Cuenta con una muy baja resistencia por unidad de superficie  y con un  rendimiento de conmutación rápida, este beneficio, en combinación con la velocidad de conmutación rápida y el diseño del dispositivo robusto. Los Mosfet de potencia son bien conocidos por ofrecer al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.

• Polaridad del transistor: Canal N
• Voltaje drenaje-fuente Vds: 55 V
• Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
• Tensión umbral Vgs: 2.1 V
• Intensidad drenador continua Id: 49 A
• Disipación de potencia Pd: 83 W
• Resistencia de activación Rds(on): 0.0175 Ohms
• Temperatura de operación máxima: 150 °C
• Encapsulado: TO-220
• Número de pines: 3